聽說現(xiàn)在好多人質疑固態(tài)硬盤壽命虛標，還說 TLC 和 QLC 實際寫入量能差 2 倍！其實，固態(tài)硬盤并不存在普遍意義上的壽命虛標問題，TLC 和 QLC 的實際寫入量受多種因素影響，不能簡單地說差 2 倍。以下是具體分析：

      1.固態(tài)硬盤壽命的衡量指標

      首先要明白，固態(tài)硬盤的壽命通常用 TBW（Total Bytes Written，總寫入字節(jié)數(shù)）來衡量。這是廠家根據(jù)閃存芯片的特性、算法以及固態(tài)硬盤的整體設計，估算出來的硬盤在正常使用下能夠承受的總寫入數(shù)據(jù)量。當寫入量接近或達到這個數(shù)值時，硬盤出現(xiàn)故障的風險就會大大增加。比如說一款標注 TBW 為 1000 的固態(tài)硬盤，理論上你寫入 1000TB 數(shù)據(jù)之后，它的可靠性就會降低啦。

       2.TLC 和 QLC 的特性差異

       TLC（Triple-Level Cell）和 QLC（Quad-Level Cell）是閃存芯片的不同類型。TLC 每個存儲單元可以存儲 3 比特數(shù)據(jù)，QLC 每個存儲單元能存 4 比特數(shù)據(jù)。QLC 因為存儲密度更高，成本也就更低，但這也導致它的耐用性不如 TLC。一般來說，TLC 的擦寫次數(shù)要比 QLC 多，這就意味著在相同的使用條件下，TLC 能夠承受的總寫入量會更大。所以說 TLC 和 QLC 實際寫入量差 2 倍這種說法，在一定程度上是有道理的。

       LC 和 QLC 實際寫入量

       理論擦寫次數(shù)差異：一般來說，TLC 顆粒的理論擦寫次數(shù)在 1000-3000 次，QLC 顆粒約為 100-300 次。假設兩顆容量相同的 TLC 和 QLC 固態(tài)硬盤，TLC 理論上的總寫入量會高于 QLC。

       實際寫入量影響因素

       OP 空間不同：即冗余空間，可提升寫入性能和壽命。企業(yè)級固態(tài)硬盤 OP 空間大，消費級相對較小。如 Intel 企業(yè)級 QLC 固態(tài)硬盤 P4420 有近 40% 的 OP 空間，而消費級 QLC 的 OP 空間通常在 7% 左右。有更多 OP 空間的 QLC 硬盤，實際寫入量可能比 OP 空間小的 TLC 硬盤高。

       主控芯片差異：主控芯片的磨損均衡算法、垃圾回收機制等對寫入量影響大。高端主控芯片算法更先進，能減少不必要寫入，提高閃存利用率，使 QLC 或 TLC 實際寫入量超理論值。

       使用環(huán)境與負載：若用于存儲大量靜態(tài)數(shù)據(jù)，寫入量小，TLC 和 QLC 壽命差異不明顯；若用于頻繁讀寫的數(shù)據(jù)庫等場景，TLC 優(yōu)勢顯著。

       3.壽命虛標問題分析

       固態(tài)硬盤壽命到底有沒有虛標呢？其實大部分正規(guī)廠家標注的 TBW 是基于嚴謹測試和評估的，是比較靠譜的。不過，有些因素可能會讓用戶覺得壽命虛標。一方面，不同用戶的使用場景差異很大。如果一個用戶經(jīng)常進行大量的數(shù)據(jù)寫入操作，比如視頻剪輯師每天都要往固態(tài)硬盤里寫入幾十 GB 甚至上百 GB 的數(shù)據(jù)，那硬盤的寫入量增長就會很快，可能會覺得還沒到廠家標注的 TBW，硬盤就出現(xiàn)問題了。另一方面，一些小廠家為了降低成本，可能會在閃存芯片、主控芯片等方面偷工減料，導致硬盤實際壽命達不到標注的水平。

       所以，不能一概而論地說固態(tài)硬盤壽命虛標。咱們在購買的時候，盡量選擇大品牌、口碑好的產品，仔細查看產品的參數(shù)和說明，這樣就能最大程度避免買到壽命不靠譜的固態(tài)硬盤。